历史瞬间:二战美军弹药船爆炸 3900吨弹药全炸

清华大学生命科学院教授陈国强有一个梦想：历史用可降解可食用的生物塑料PHA，历史取代会造成“白色污染”的石油基塑料。从1994年回国至今，他一直在研究如何利用微生物发酵，将陈化粮甚至厨余垃圾这些有机质转化成生物塑料，并将之称作“下一代工业生物技术”。

20世纪六七十年代，瞬间接触式光刻机是集成电路制造的主流设备。这种机器曝光过程中掩膜版与硅片上的光刻胶直接接触，瞬间优点是可以减小光的衍射效应，缺点是会污染损坏掩膜版和光刻胶，缩短掩膜版使用寿命，且极易形成图形缺陷，影响良率。为了解决上述问题，美军20世纪70年代开始采用接近式光刻机。这种光刻机在掩膜版和硅片之间有微小间距，美军由于掩膜版和硅片间距越小，光刻工艺的分辨率越高，当二者间距接近几十微米时，就很难再减小，而且会受衍射效应的影响。

1973年，弹药0吨弹药美国PerkinElmer公司推出首台扫描投影光刻机。这种光刻机与以往光刻机不同在于，弹药0吨弹药光刻时以成像方式将掩膜图形投影转移到硅片上，分辨率由成像系统投影物镜的数值孔径（光学术语）决定。因此，船爆为了进一步提高数值孔径改进光刻机性能，船爆人类又发明出浸液式光刻机，也就是在某种折射率大于空气的超纯液体中进行光刻，工作时好像把“晶圆”浸没在超纯液体中一样。全炸3 光刻机又像机床

光刻机又类似于一个机床，历史它的性能指标包括加工精度和加工速度两个方面，加工精度又可以细分为分辨率和套刻精度两个指标。瞬间货柜式的阿斯麦光刻机

需要指出，美军光刻机的分辨率跟集成电路工艺的尺寸不是一个概念。目前，美军最先进的荷兰阿斯麦公司的EUV光刻机，采用的光源波长是13.5纳米的极紫外光，光刻机分辨率为38纳米，但是利用这台光刻机可以实现7纳米、5纳米等集成电路工艺。通常说的台积电或者中芯国际7纳米或者5纳米工艺，指的是集成电路工艺水平，不是光刻机的分辨率。

套刻指的是由于结构需要，弹药0吨弹药在一个硅片上进行多次光刻曝光，弹药0吨弹药像做大小不同的套娃一样，由于每次曝光实际位置与预设位置可能存在差别，如果偏差太大，误差积累起来是很惊人的。因此，必须把这个误差控制在一个很小的数值内，这个数值就是套刻精度。目前，荷兰阿斯麦公司的光刻机能够实现1.4纳米的套刻精度，也就是两次光刻之间的位置偏差，不到一根头发丝的万分之一！对此，船爆纽约市长白思豪迅速回应称，船爆这只是特朗普的又一个把戏，是一种政治噱头。纽约州州长科莫则表示：“我们将从法律上挑战它，他们将再次失败。”

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